| Корпус | soic-8(0.154 inch) |
| Количество | каналов:2 |
| Напряжение | смещения на входе:5000 мкВ |
| Напряжение питания | однополярное(+)/двуполярное(±):±3.5…18 В |
| Рабочая температура | 0…+70 °,С |
| Скорость | нарастания выходного сигнала:13 В/мкс |
| Ток | собственного потребления:3.6 мА |
| Характеристика | Токовое смещение на входе:0.05 нА |
| Частота | единичного усиления:3 МГц |
| Максимальная рабочая температура | +70 °C |
| Количество каналов на ИС | 2 |
| Длина | 4.9мм |
| Типичная скорость нарастания | 13В/мкс |
| Типичное усиление по напряжению | 100 dB |
| Производитель | Texas Instruments |
| Тип источника питания | Два |
| Тип корпуса | SOIC |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | 0 °C |
| Ширина | 3.91мм |
| Типичная интенсивность шумов входного напряжения | 18нВ/vГц |
| Rail to Rail | No |
| Высота | 1.58мм |
| Число контактов | 8 |
| Размеры | 4.9 x 3.91 x 1.58мм |
| Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 3МГц |
| Типичное двойное напряжение питания | ±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V |
| CMRR - Коэффициент подавления синфазного сигнала | 70 dB to 100 dB |
| en - Интенсивность шума входного напряжения | 18 nV/sqrt Hz |
| GBP - Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
| Ib - Входной ток смещения | 200 pA |
| In - плотность тока шума на входе | 0.01 pA/sqrt Hz |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| SR - скорость нарастания выходного напряжения | 13 V/us |
| Vcm - Синфазное напряжение | Negative Rail + 4 V to Positive Rail - 4 V |
| Vos - Входное напряжение смещения нуля | 10 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Операционные усилители |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Максимальное напряжение сдвоенного питания | +/- 18 V |
| Минимальное напряжение сдвоенного питания | +/- 3.5 V |
| Напряжение питания - макс. | 36 V |
| Напряжение питания - мин. | 7 V |
| Напряжение сдвоенного питания | +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V |
| Отключение | No Shutdown |
| Подкатегория | Amplifier ICs |
| Продукт | Operational Amplifiers |
| Рабочее напряжение питания | +/- 3.5 V to +/- 18 V |
| Рабочий ток источника питания | 1.8 mA |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | LF353 |
| Технология | BiFET |
| Тип входа | Rail-to-Rail |
| Тип питания | Dual |
| Тип продукта | Op Amps - Operational Amplifiers |
| Тип усилителя | Wideband Amplifier |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Усиление по напряжению, дБ | 100 dB |
| Amplifier Type | J-FET |
| GBP - Gain Bandwidth Product | 3MHz |
| Iq Per Channel (Typ) | 3.6mA |
| Maximum Operating Temperature | 70В°C |
| Minimum Operating Temperature | 0В°C |
| Number Of Circuits | 2 |
| SR - Slew Rate | 13 V/us |
| Supply Voltage - Max | 18V |
| Supply Voltage - Min | В±3.5V |
| RoHS | Подробности |
| Одностороннее напряжение питания | 7 V to 36 V |
| Ток питания на канал | 6.5 mA |
| Упаковка | Tube |
| Вес, г | 0.15 |
Магазин электронных компонентов © 2014 - 2026
ООО "Импульс".
Данный информационный ресурс не является публичной офертой. Наличие и стоимость товаров уточняйте по телефону. Производители оставляют за собой право изменять технические характеристики и внешний вид товаров без предварительного уведомления.