Конфигурация | Low-Side |
Тип канала | независимый |
Кол-во каналов | 2 |
Тип управляемого затвора | N/P-CH MOSFET |
Напряжение питания, В | 4.75…5.25 |
Логическое напряжение (VIL), В | 38 |
Логическое напряжение (VIH), В | 2 |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.5 |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.5 |
Тип входа | инвертирующий |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 5 |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 7 |
Рабочая температура, °C | 0...+70 (TA) |
Корпус | DIP-8 (0.300 inch) |
Вес, г | 1 |
Магазин электронных компонентов © 2014 - 2025
ООО "Импульс".
Данный информационный ресурс не является публичной офертой. Наличие и стоимость товаров уточняйте по телефону. Производители оставляют за собой право изменять технические характеристики и внешний вид товаров без предварительного уведомления.